10nm終于出來啦！Intel十代酷睿正式上路：全新花式命名

　　今年 5 月底開幕的臺北電腦展上，Intel 正式公布了 10nm 工藝、代號 Ice Lake 的第十代酷睿處理器，不過當時公開的只有系統級特性和規格，并沒有具體產品型號、參數。

　　今天，Intel 正式發布了多達 11 款十代酷睿處理器，專為輕薄型筆記本設計，包括低功耗的U系列和超低功耗的Y系列。

　　Ice Lake 十代酷睿是 Intel 第一批大規模采用 10nm 工藝的產品，同時擁有全新設計的 Sunny Cove CPU 架構、11 代 GPU 核芯顯卡架構，也是 PC 處理器第一次大規模集成和應用 AI 人工智能，Wi-Fi 6(Gig+)、雷電 3 連接也開始普及，支持最多四個雷電 3 接口。

　　AI 人工智是十代酷睿的一大突出特性，Intel 深度學習加速技術是一套全新的專用指令集，可在 CPU 上加速神經網絡，應用于自動圖像增強、照片索引、逼真聲效等各種場景，同時 GPU 引擎計算性能首次突破 1TFlops，有利于視頻創作、分析和實時視頻分辨率增強等。

　　十代酷睿還具備Intel GNA 專用引擎，以極低的功耗運行語音處理、噪聲抑制等后臺工作負載，從而最大限度地增加電池續航時間。

　　GPU 核顯在十代酷睿上取得突破，基于 11 代架構，圖形性能比上代提升一倍，可以流暢運行 1080p 游戲，或者進行 4K 視頻編輯、快速應用視頻濾波器、高分辨率照片處理等，同時首次支持 VESA 自適應同步(《塵埃拉力賽2》/《堡壘之夜》等游戲)、首次融入可變速率著色(VSR)、首次支持 BT.2020 色彩規范可顯示 10 色彩的 4K HDR 視頻。

　　十代酷睿采用了新的型號命名體系，包含四位數字與一位字母，其中前兩位數字均為“10”，代表第十代酷睿；

　　第三和第四位數字代表 SKU 型號高低，第四位數字還和熱設計功耗掛鉤：8 28W、5 15/25W (標準 TDP 和最高可配置 TDP)、0 9/12W；

　　最后是一個字母“G”加一位數字，代表核顯級別高低，其中G7 64 個執行單元、G4 48 個執行單元、G1 32 個執行單元，G7、G4 都屬于銳炬 Iris Plus，G1 則屬于超核顯 UHD。

　　詳細型號和參數如下：

　　U 系列共有六款，旗艦型號i7-1068G7為 4 核心 8 線程，基準頻率 2.3GHz，全核睿頻 3.6GHz，最高睿頻 4.1GHz，三級緩存 8MB，核顯加速頻率 1.1GHz，熱設計功耗 28W。

　　i7-1065G7 CPU 頻率降至 1.3/3.5/3.9GHz，熱設計功耗來到 15W，可上調至 25W，其他同上。

　　i5-1035 有三個不同版本，三級緩存都是 6MB，其中i5-1035G7 CPU 頻率繼續降至 1.2/3.3/3.7GHz，核顯加速頻率也降至 1.05GHz；i5-1035G4自然是 48 個執行單元，同時 CPU 基準頻率降至 1.1GHz；i5-1035G1則變為 32 個執行單元，CPU 頻率來到 1.0/3.3/3.6GHz。

　　i3-1005G1是U系列唯一的雙核心四線程，三級緩存 4MB，CPU 頻率 1.2/3.4/3.4GHz，核顯 32 個單元，加速頻率 0.9GHz。

　　再來看Y系列，其中 i7/i5 都是 4 核心 8 線程，三級緩存分別 8MB、6MB，熱設計功耗都是9/12W。

　　i7-1060G7 CPU 頻率 1.0/3.4/3.8GHz，核顯加速頻率 1.0GHz。

　　i5-1030G7、i5-1030G4 CPU 基準頻率分別只有 0.8GHz、0.7GHz，全核與最高加速頻率均為 3.2/3.5GHz，核顯加速均為 1.05 個，更主要的區別當然是 64 單元與 48 單元。

　　i3-1000G4、i3-1000G1唯一區別就是 48、32 單元，CPU 頻率均為 1.1/3.2/3.2GHz，核顯加速頻率均為 0.9GHz。

　　Ice Lake 十代酷睿筆記本即將陸續上市，此前在臺北電腦展上 Intel 已經預展了幾款新品，而且都通過了 Project Athena 雅典娜計劃的驗證，包括宏碁 Swift 5、戴爾 XPS 13、惠普 Envy 13、聯想 S940。

　　今天的發布也只是十代酷睿的一個開端，后續會有更多產品，包括企業級博銳。更多信息將在月底公布。

　　相比于 Intel，臺積電、三星如今在工藝方面可謂十分激進，雖然有不少“水分”。

　　不同于以往間隔多年推出一代全新工藝，臺積電和三星如今都改變打法，一項重大工藝進行部分優化升級之后，就會以更小的數字命名。

　　比如三星，7nm 7LPP 去年十月投產之后，按照官方最新給出的時間表，6nm 6LPP 將在今年下半年如期投入量產，5nm 5LPE 今年內完成流片、明年上半年量產，4nm 4LPE 也會在年內設計完畢。

　　按照三星給出的技術路線圖，6LPP、5LPE、4LPE 其實都是在 7LPP 工藝基礎上演化而來的，要一直到 3nm (3GAE/3GAP)才會是全新的設計，預計會使用全新的結構和材料。

　　7nm 也是三星第一次使用 EUV 極紫外光刻，6/5/4nm 上勢必會進一步加強。6LPP 相比 7LPP 會將晶體管密度提升約 10％，同時功耗更低，但會沿用 7LPP 上最初設計的 IP。

　　5LPE 會在性能、功耗、核心面積上進一步提升，不過核心 IP 還是 7LPP 的那一套，不過由于 EUV 應用更深入，三星預計 6LPP、5LPE 工藝的應用范圍也會更廣，而且 5nm 明年迅速就會成為主流。

　　4LPE 將會是 7LPP 的終極進化版本，預計 2020 年首次流片，2021 年的某個時候量產。

　　在日本的 2019 VLSI Symposium 超大規模集成電路研討會上，臺積電則宣布了兩種新工藝，分別是 7nm、5nm 的增強版，但都比較低調，沒有過多宣傳。

　　7nm 工藝的增強版代號為“N7P”(P即代表性能 Performance)，在原有第一代 N7 7nm 工藝的基礎上，繼續使用 DUV 深紫外光刻技術而沒有 7nm+ 上的 EUV 極紫外光刻，設計規則不變，晶體管密度也不變，只是優化了前線(FEOL)、后線(BEOL)，能在同等功耗下帶來7％ 的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低 10％。

　　5nm 工藝的增強版代號為“N5P”，也是優化前線和后線，可在同等功耗下帶來7％ 的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低 15％。

　　臺積電 N7P 工藝已經可用，但尚未宣布任何具體客戶。

　　臺積電此前曾表示，7nm、6nm 都是長期工藝節點，會使用多年，5nm 則相當于一個升級過渡版本。

　　再往后，臺積電的下一個重大工藝節點 3nm 也已經取得重大進展，技術研發非常順利，已經有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術定義，預計 2022 年初步量產。