RAM可以永不丟失數據

        計算機技術發展至今，核心硬件的發展似乎卻低于我們的預期。大概在 5 年前，我們感覺 RAM 內存和閃存存儲已經不太夠用了。正如處理器已經從高主頻轉向多核心，電腦的內存介質也需要一次重大的革新。

        我們已經看到了閃存介質的存儲空間越來越大，比如 2TB 的 SD 卡、更大容量的 SSD 固態硬盤等，但在技術沒有革新的情況下，瓶頸是在所難免的。新一代的內存技術，不僅能夠讓閃存實現數百 GB 甚至幾 TB 的容量，還能夠改變 DRAM 無法長時間存儲信息的弊端，讓內存也可以存儲文件，實現更先進的系統形態。

        目前，已經擁有十幾種正在開發的新型存儲技術，將在未來改變計算機的硬件結構，下面來簡單了解一下。

        操作系統的影響

        首先，更先進的數據存儲方案也會在操作系統層面提升數據管理的效率。微軟的文件系統專家 Spencer Shepler 表示，如果能夠讓 RAM 在系統索引方面發揮更大作用，直接鏈接到文件并一直存儲在 RAM 中，那么電腦的數據訪問速度將獲得極大的提升。

        當然，如果 RAM 中的數據不會消失，還會引發一系列的問題。比如，當系統重新啟動時如何檢查系統完整性？那么，如何像使用硬盤那樣把內存中的數據導出？如果不幸電腦感染病毒，那么內存中的數據不會消失，如何維護計算機的安全性？

        這些都是操作系統和應用程序設計者該考慮的問題。Spencer Shepler 表示，這需要涉及到信息系統的重建，系統廠商需要開發出更先進的新技術來實現數據管理。

        新一代內存的競爭者

        傳統 DRAM 內存使用的是電容材質進行數據的存儲，必須隔一段時間刷新一次，所以無法實現數控的永久存儲；而記憶電阻材質，則有可能成為其替代品。比如惠普正在研發的 “憶阻器內存”，可以使用離子氧化鉭擴展或收縮電壓，當電源關閉時，存儲元件可以保持形態，數據不會丟失。目前，諸如松下、海力士、Rambus 等多個廠商，都在使用不同的記憶電阻材質，來開發新型的 RAM。目前記憶電阻內存的主要瓶頸在于速度，不過惠普表示隨著技術的發展，記憶電阻的速度最終會達到目前 DRAM 的速度。

        記憶電阻內存

        其他廠商也在類似的產品，如 IBM，正在研究相變類存儲介質，利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的，在加熱和冷卻時不會丟失數據；納米 RAM 也是一種類似的原理，使用網狀碳納米管材質來替代傳統電容內存。

        IBM 相變存儲芯片

        不過，由于技術成本的關系，目前惠普主推的憶阻器內存最有可能實現商用，但初期的價格仍會比較昂貴。顯然，傳統閃存和 DRAM 仍然會服役很長一段時間，但是在操作系統、存儲介質不斷發展的情況下，未來的電腦文件存儲和應用都將發生巨大的改變。

        來源：techradar

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