基于ReRAM技術的SSD要來了：超快讀寫速度、超高密度
現在的 SSD 雖然可以通過堆疊 Die 層數來增大單顆粒容量，但隨著層數越多，所需要的硅穿孔數目越多，制造難度直線上升，不僅良品率無法保證、生產成本也高，一些擁有深厚技術的存儲廠商早就開始探索新一代非易失性存儲器了。
除了 Intel 那個未知原理的 3D XPoint 閃存以外，還有大熱的 ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數據的非易失性存儲器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年的 Mobiveil 聯合 Crossbar 將會推出基于 ReRAM 技術的 SSD，為存儲市場增添新活力。
ReRAM 其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關系的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經自身的電荷數量，也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，并且這種阻值變化可以在斷電下繼續保存相當長的一段時間。
單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結構，包含有上下電極和中間的開關層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結構的電阻值，從而達到存儲數據功能（電阻值代表0/1 或者是更多位數據）。其穩定性非常好，具備了普通閃存顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫周期后，在 85℃下數據可以保持 10 年不消失。
而且這種長條形結構可以很容易地組建成大規模陣列，簡單的結構使得存儲容量、密度遠超現有的閃存技術，輕松實現 TB 存儲顆粒。
另外由于其結構簡單，它的主控開發也變得異常簡單，現有的 Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4 主控可以很好地適應 ReRAM 架構。
不過 Mobiveil、Crossbar 表示 ReRAM SSD 并不是要革現有 SSD 的名，因為它至少短期內不是民用消費級，而是面向商業應用方案，因為目前來看 ReRAM SSD 雖然性能指標一流，但制作成本非常高，甚至比 NV-DIMMM 更為昂貴，就像是 Intel 的傲騰都是在虧本在賣。
所以 Mobiveil 與 Crossbar 將 ReRAM 的銷售方向、潛在客戶都與 Intel 3D XPoint 閃存硬盤 Optane 相同，并在積極開發能夠平衡價格與性能的產品，帶動公司的繼續發展。
