沖擊人類極限！Intel首次自曝3nm工藝

這幾年，Intel 新工藝的前進步伐明顯慢了下來，三星、臺積電則是一路狂飆，而且完全不按套路出牌，節點命名相當隨意，16nm 優化一下就叫 12nm，甚至 10/9/8/7/6/5nm 一口氣都推上去。

Intel 這版雖然走的不快，但如此混淆視聽也實在看不下去了，畢竟更顯得自己不思進取嘛。在今天的精尖制造日上，Intel 就對比了自家和臺積電、三星的 10nm 工藝，力圖證明自己才是真正的 10nm，技術上更先進。

面對未來，Intel 其實也準備了很多好牌，10nm 產品發布在即，7nm 基本準備就緒，5nm、3nm 也都在規劃之中。

從 Intel 給出的路線圖看，5nm、3nm 還處于前沿研究階段，具體如何實現尚未定型，量產更不知何年何月，但無論如何，這意味著 Intel 對于硅半導體技術的追求將堅定地走下去。

而為了達成 5nm、3nm，Intel 也在做很多技術上的前沿研究，包括納米線晶體管、III-V 族晶體管，3D 堆疊、密集內存、密集互聯、EUV 極紫外光刻圖案成形、神經元計算、自旋電子學等等。

至于摩爾定律的極限到底在哪里，誰也不知道。

有趣的是，臺積電整整一年前就公布了自己的 5nm、3nm 規劃，并稱已有三四百人的團隊在攻關 3nm，但沒有透露任何詳細情況。

來自: 驅動之家